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G-30D4型高精密單面光刻機(jī)
設(shè)備概述:
本設(shè)備為我公司專門針對各大、中、小型企業(yè)的使用特性而研發(fā)的一種高精密雙面光刻機(jī)，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),它具有生產(chǎn)效率高、結(jié)構(gòu)簡單、操作維護(hù)方便等優(yōu)勢，本機(jī)不僅適合4英寸以下各型基片的曝光，也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。 主要由防震工作臺、LED專用曝光頭、氣動系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵及附件箱等組成。
曝光頭及部件圖
主要功能特點
Φ100mm以下，厚度(包括非圓形基片
2. 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 有真空掩膜版架、真空片吸盤。 本設(shè)備操作簡單，調(diào)試、維護(hù)、修理等都非常簡便。 采用進(jìn)口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機(jī)械 5. 特設(shè)功能 的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題
主要技術(shù)指標(biāo) 1、曝光類型：接觸式，雙面，一次同時曝光(配置4″LED專用曝光頭) 2、曝光面積：110×110mm； 3、曝光照度不均勻性：≤±3%； 4、曝光強(qiáng)度：0～30mw/cm2可調(diào)； 5、紫外光束角：≤3°； 6、紫外光中心波長：365nm； 7、紫外光源壽命：≥2萬小時； 8、工作面溫度：≤30℃ 9、采用電子快門； 10、曝光分辨率：2μm(曝光深度為線寬的10倍左右) 11、曝光方式：接觸式曝光； 12、掩模版尺寸：≤127×127mm； 13、基片尺寸：≤ Φ100mm; 14、基片厚度：≤5 mm； 15、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；
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